- CXMT начала массовое производство DRAM G5 с полушагом 11,95 нм без EUV
- В G5 используется четырёхкратная DUV-литография SAQP и затвор HKMG
- Расчётный выход кристаллов с пластины вырос минимум на 50% до отбраковки
- CXMT занимала 9,5% мирового рынка DRAM во втором квартале 2026 года
- Себестоимость бита у CXMT выше, чем у трёх крупнейших производителей
По данным TrendForce, полушаг активной области в новой DRAM-платформе китайской CXMT составляет 11,95 нанометра — показатель уровня, который связывают с передовыми технологиями памяти.
Что сделали
20 сентября 2026 года CXMT объявила о массовом производстве платформы DRAM пятого поколения G5. По данным компании, с одной 300-миллиметровой кремниевой пластины можно получить как минимум на 50% больше кристаллов, чем с предыдущей платформы G4. Это расчёт до отбраковки, а не обещание на 50% большего числа готовых чипов.
Главный инженерный ход — обойтись без EUV-литографии. У CXMT нет таких сканеров, поэтому для формирования рисунка ячеек компания использовала DUV-оборудование и самосовмещённую четырёхкратную литографию SAQP. Впервые в своей DRAM компания также применила затвор HKMG — технологию, перенесённую из логических микросхем.
Платформа G5 уже выпускает чипы LPDDR5X ёмкостью 24 гигабита — это следует из объявления компании о двух серийных продуктах. Сам факт производства показывает, что речь идёт не только о лабораторной демонстрации. Но точных данных о выходе годных кристаллов и месячном объёме выпуска нет.
Как это работает
Ячейка DRAM хранит бит в связке из транзистора и конденсатора. Чтобы поместить больше ячеек на ту же площадь, их нужно уплотнять, а сами элементы — делать компактнее.
Это похоже на рисунок, который печатают через четыре совмещённых трафарета: каждый проход добавляет часть узора, а точное совмещение позволяет получить более мелкий рисунок, чем за один проход. В G5 один слой топологии формируется четырьмя экспозициями DUV-литографа. Результат — полушаг 11,95 нанометра, или шаг 23,9 нанометра, по данным TrendForce.
У такого подхода есть цена: дополнительные маски и экспозиции усложняют производство и увеличивают время обработки пластины. Параллельно CXMT вытянула конденсатор до соотношения сторон 45:1. Высота активной зоны кристалла составляет 6762 нанометра, согласно приведённым в материалах характеристикам платформы. Эти решения вместе позволили увеличить расчётное число кристаллов на пластине.
Цифры и цена
По данным TrendForce, во втором квартале 2026 года CXMT занимала около 9,5% мирового рынка DRAM по выручке и была на четвёртом месте. Компания остаётся единственным производителем памяти за пределами Samsung, SK hynix и Micron, который наращивает объёмы, согласно своду фактов.
О розничной цене чипов G5 данных нет. Известны цифры, связанные с размещением акций компании: по данным свода, 27 июля 2026 года компания привлекла на IPO 57,9 миллиарда юаней, а цена размещения составила 8,66 юаня за акцию. По курсу около 12,5 рубля за юань это примерно 108 рублей за акцию. Эти значения относятся к акциям, а не к памяти.
Другие продукты CXMT уже выходят на рынок: 29 августа 2026 года компания запустила LPDDR6 с пиковой скоростью 12 800 мегабит в секунду; по данным свода, эта память дебютировала в складном Xiaomi 18 Fold. LPDDR5X со скоростью 10 667 мегабит в секунду используется в Nubia NaviX Ultra. Эти характеристики относятся к отдельным продуктам и не раскрывают цену или объёмы продаж G5.
Где подвох
Главная оговорка касается тех самых дополнительных 50%. Как подчёркивают китайские аналитики eefocus, это теоретическое число кристаллов до проверки на дефекты, а не рост выхода годных чипов. На демонстрационном стенде компания также предупредила, что при серийном производстве возможны обычные отклонения. Реальный yield и месячный выпуск CXMT не раскрывает.
Отраслевые оценки указывают, что себестоимость бита у CXMT пока выше, чем у трёх крупнейших производителей. Иными словами, близкий технологический уровень не означает такую же структуру затрат. Для SAQP критично точно совмещать несколько экспозиций; больше масок и операций могут повышать плотность дефектов и растягивать производственный цикл. Поэтому экономический выигрыш зависит от того, сколько годных чипов в итоге удастся получить и во что обойдётся производство.
Ещё одно ограничение — память для ускорителей ИИ. По своду фактов, HBM3E у CXMT существует лишь в сообщениях о пробном производстве; официального подтверждения нет. Это важный контекст: успех G5 в обычной DRAM сам по себе не означает, что компания догнала лидеров в наиболее прибыльном сегменте памяти.
Председатель Acer Джейсон Чен заявил 19 сентября 2026 года, что из-за новых китайских мощностей DDR4 и часть LPDDR5 и DDR5 оказались в профиците. По его оценке, рост цен на память может остановиться во второй половине 2027 года. Это прогноз, а не уже произошедшее изменение рынка.
А что в России
Прямых аналогов G5 в России нет: по приведённым данным, серийная DRAM, включая DDR4 и DDR5, здесь не выпускается. «Мегаполис-Телеком регион» запатентовала DDR5-микросхему, но серийный выпуск не заявлен. GS Nanotech выпускает модули DDR5, однако сами чипы памяти в них иностранные; в России выполняются корпусирование SPD-микросхемы, изготовление платы и сборка.
ЗНТЦ создал опытный образец степпера с проектными нормами 130 нанометров; серийные поставки ожидаются не ранее 2027 года. Это литографическое оборудование, а не линия производства DRAM. Китайские LPDDR5X от CXMT в России, согласно своду, не отмечены в продажах; использование таких кристаллов в российских модулях не подтверждено.
Разрыв здесь не только в числах техпроцесса: CXMT уже выпускает память на собственной платформе, тогда как упомянутые российские проекты ограничены патентом, сборкой модулей на иностранных кристаллах и опытным оборудованием. Точного российского аналога нет.
Как думаете, сможет ли четырёхкратная литография сделать передовую DRAM экономически выгодной?
#китай #наукаитехника #технологии #изобретения #лабораторияподнебесной
Продолжение, новые материалы и обсуждение в комментариях — на нашем канале «Лаборатория Поднебесной».
Читать на Дзене → Подписаться